タカイ ヒロシ   TAKAI Hiroshi
  高井 裕司
   所属   東京電機大学  システムデザイン工学部(2017年度新設) デザイン工学科(2017年度新設)
   東京電機大学大学院  先端科学技術研究科 電気電子システム工学専攻
   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   教授
発表年月日 2016/06/28
発表テーマ Increasing the emission wavelength of InAs quantum dot grown on InP substrates using a dot in well structure
会議名 Compound Semiconductor Week 2016 (CSW2016)
主催者 Japan Society of Applied Physics
学会区分 国際学会
発表形式 口頭(一般)
単独共同区分 共同
開催地名 Toyama, Japap
概要 A dot-in-well structure for quantum dot (QD) growth on InP(001) vicinal substrates was introduced to increase the emission wavelength. The emission wavelength of QDs changed from 1600 nm, in conventional structures, to 1850 nm, in the proposed dot-in-well structure, when measured at room temperature. The emission intensity of this dot-in-well structure was the same as that of the conventional structure, implying that the dot-in-well structure did not degrade crystal quality.