オグラ ショウヘイ   OGURA Shohei
  小倉 正平
   所属   東京電機大学  工学部 自然科学系列(工学部)
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2017/03
形態種別 学術研究論文
査読 査読有り
標題 Mechanism of gate dielectric degradation by hydrogen migration from the cathode interface
執筆形態 共著
掲載誌名 Microelectronics Reliability
掲載区分国外
巻・号・頁 70,pp.12-21
著者・共著者 Y. Higashi, R. Takaishi, K. Kato, M. Suzuki, Y. Nakasaki, M. Tomita, Y. Mitani, M. Matsumoto, S. Ogura, K. Fukutani,K. Yamabe
DOI 10.1016/j.microrel.2017.01.011
PermalinkURL https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S0026271417300173