イシイ サトシ   ISHII Satoshi
  石井 聡
   所属   東京電機大学  理工学部 理工学科 理学系
   東京電機大学大学院  理工学研究科 理学専攻
   職種   助教(A)
研究期間 2017/04~2019/02
研究課題 放射線環境下におけるCNTFETのデバイス特性に関する研究
実施形態 競争的資金等の外部資金による研究
研究委託元等の名称 名古屋大学未来材料・システム研究所
研究種目名 共同利用・共同研究
代表分担区分 研究代表者