オグラ ショウヘイ   OGURA Shohei
  小倉 正平
   所属   東京電機大学  工学部 自然科学系列(工学部)
   職種   准教授
研究期間 2006/04~2008/03
研究課題 Au2次元成長に見られるフラクタル性の起源の解明
実施形態 科学研究費補助金
研究委託元等の名称 日本学術振興会
研究種目名 科学研究費助成事業 若手研究(B)
科研費研究課題番号 18760027
代表分担区分 研究代表者
連携研究者 小倉 正平
概要 表面における樹枝状島はフラクタル性を持ち,バルク表面にはない物性や表面反応性を示すことが期待されている.樹枝状成長は拡散律速凝集モデルで説明されているが,フラクタル性の起源は必ずしも明らかになっていない.本研究は,走査トンネル顕微鏡を用いた原子追跡法とモンテカルロシミュレーションによりIr(111),Pt(111)表面におけるAuの拡散係数とAu2次元島のフラクタル性の起源を明らかにすることを目的とした.本年度は,前年度に開発した原子追跡装置の動作確認と,シミュレーションによる拡散係数の解析を行った.Si(111)-7x7表面の単原子層高さのステップ付近でチップを旋回させ,ロックインアンプにより検出したトンネル電流の位相からステップの方向を判断し,ステップの方向にチップを動かすことに成功し,原子追跡に必要な時間・空間分解能を持つことを確認した.また島の外周に沿った拡散を取り入れた薄膜成長のモンテカルロシミュレーションプログラムを開発し,走査トンネル