(最終更新日:2020-03-27 15:42:54)
  ムツクラ ノブキ   MUTSUKURA Nobuki
  六倉 信喜
   所属   東京電機大学  工学部 電子システム工学科
   東京電機大学大学院  先端科学技術研究科 電気電子システム工学専攻
   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   教授
■ 著書・論文歴
1. 著書  化合物半導体の最新情報 大全集 (共著) 2007/04
2. 論文  Surface Contamination with Si and O Impurities for GaN Single-Crystalline Layers Grown by Ultra-High-Vacuum Sputter Epitaxy (共著) 2019/10
3. 論文  Properties of Highly c-axis Oriented Single-crystalline ZnO Layers Grown by Sputter Epitaxy for Hydrogen Gas and UV Sensors (共著) 2019/01
4. 論文  Application of highly c-axis oriented single-crystalline ZnO layers grown by sputter epitaxy to hydrogen gas sensor and UV sensor (共著) 2018/09
5. 論文  Applying neural network to photosynthesis evaluation using plant bioelectricity (共著) 2017/03
全件表示(37件)
■ 学会発表
1. 2011/08/31 UHVスパッタエピタキシーによるAlN単結晶層の成長(II)(第72回応用物理学会学術講演会)
2. 2011/08/31 UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長(III)(第72回応用物理学会学術講演会)
3. 2011/08/31 UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長(II)(第72回応用物理学会学術講演会)
4. 2011/08/31 スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(III)(第72回応用物理学会学術講演会)
5. 2011/08/31 スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(IV)(第72回応用物理学会学術講演会)
全件表示(79件)
■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 1986/04~1987/03  プラズマプロセシングによる高性能材料合成に関する研究 総合研究B 
2. 1991/10~1992/09  SITの応用に関する調査および研究 企業からの受託研究 
3. 1993/01~1993/12  高周波プラズマによる硬質炭素膜の作成とその応用 企業からの受託研究 
4. 1993/03~1994/02  シルバーカーの開発および試作 企業からの受託研究 
5. 1993/04~1994/03  高周波プラズマによる硬質炭素膜の作成とその応用技術に関する研究 研究奨励寄付金 
全件表示(13件)
■ 展覧会・演奏会・競技会等
1. 2018/12/12~2018/12/14 SEMICON Japan 2018(東京ビッグサイト)
2. 2019/12/11~2019/12/13 SEMICON Japan 2019(東京ビッグサイト)