フジカワ サチエ   FUJIKAWA Sachie
  藤川 紗千恵
   所属   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   助教(A)
発表年月日 2016/06/29
発表テーマ InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film
会議名 The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016
学会区分 国際学会
発表形式 口頭(一般)
単独共同区分 共同
開催地名 Toyama,Japan
発表者・共同発表者 K. Isono, D. Tsuji, T. Taketsuru, S. Fujikawa, I. Watanabe Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro