フジカワ サチエ   FUJIKAWA Sachie
  藤川 紗千恵
   所属   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   助教(A)
発表年月日 2016/07/09
発表テーマ InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction
会議名 35rd Electronic Materials Symposium (EMS35)
学会区分 全国学会
発表形式 ポスター
単独共同区分 共同
開催地名 Laforet Biwako, Shiga
発表者・共同発表者 S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro