モリヤマ サトシ   MORIYAMA Satoshi
  森山 悟士
   所属   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   職種   准教授
言語種別 英語
発行・発表の年月 2015
形態種別 学術研究論文
査読 査読有り
標題 Fabrication of high-k/metal-gate MoS2 field-effect transistor by device isolation process utilizing Ar-plasma etching
執筆形態 共著
掲載誌名 Japanese Journal of Applied Physics
掲載区分国外
巻・号・頁 54,pp.046502
著者・共著者 Naruki Ninomiya,Takahiro Mori,Noriyuki Uchida,Eiichiro Watanabe,Daiju Tsuya,Satoshi Moriyama,Masatoshi Tanaka,Atsushi Ando
DOI 10.7567/JJAP.54.046502
Put Code(ORCID) 33374181
PermalinkURL http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000354743200044&KeyUID=WOS:000354743200044
researchmap用URL http://orcid.org/0000-0001-6599-6433