フジカワ サチエ   FUJIKAWA Sachie
  藤川 紗千恵
   所属   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   助教(A)
言語種別 英語
発行・発表の年月 2016/09
形態種別 国際会議論文
査読 査読有り
標題 InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction
執筆形態 共著
掲載誌名 Proc. 19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2016)
掲載区分国外
著者・共著者 S. Fujikawa, K. Isono, Y. Harada, I. Watanabe, Y. Yamashita, A. Endoh, S. Hara, A. Kasamatsu, and H. I. Fujishiro