フジカワ サチエ   FUJIKAWA Sachie
  藤川 紗千恵
   所属   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   職種   助教(A)
言語種別 英語
発行・発表の年月 2015/01
形態種別 学術研究論文
査読 査読有り
標題 Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/GaSb/GaAs metal oxide semiconductor structures
執筆形態 共著
掲載誌名 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
掲載区分国外
巻・号・頁 54(021201)
著者・共著者 Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Tetsuji Yasuda, and Tatsuro Maeda