ヒラクリ ケンジ
HIRAKURI Kenji
平栗 健二
所属
東京電機大学 工学部 電気電子工学科
東京電機大学大学院 先端科学技術研究科 電気電子システム工学専攻
東京電機大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
職種
教授
取得特許
1.
2011/06/10
高輝度・低駆動電圧型ナノシリコン発光素子とその製造方法 （特許第4756240号）
2.
2012/07/27
発光輝度の持続性に優れたナノシリコン粒子とその製造方法 （特許第5045876）
3.
2013/03/12
Method for forming diamond-like carbon film （US 8394455 B2）
4.
2014/02/07
非晶質状炭素膜の表面改質 （特許第5467452号）
5.
2019/09/13
亜鉛を含有する非晶質炭素膜の製造方法 （特許第6583670号）
6.
2020/10/13
単結晶成長装置、該単結晶成長装置の使用方法および単結晶成長方法 （特許第6777908号）
7.
2021/07/02
シリコンナノ粒子の製造方法 （特許第6906774号）
8.
2022/10/03
ｐ型又はｎ型不純物含有シリコンナノ粒子の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 （特許第7151974号）
9.
2023/02/17
非晶質炭素膜とその製造方法 （特許第7229458号）
10.
2023/02/28
うずまき状高効率ヨーク （特願2023-030388）
11.
2023/11/16
ガスセンサ素子、それを用いた水素センサ、及び水素ガス濃度の測定方法 （特願2023-194783）
12.
2024/02/14
非晶質炭素含有シート、非晶質炭素含有シート製品、および通気性シートに抗菌性または抗ウイルス性を付与する方法 （特許第7436973号）
13.
2024/09/09
ヨークおよびこのヨークを用いたモータ （特開2024-122706）