(最終更新日:2017-05-02 18:53:42)
  シノダ ヒロユキ   SHINODA Hiroyuki
  篠田 宏之
   所属   東京電機大学  工学部 電子システム工学科(2017年度新設)
   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   東京電機大学大学院  工学研究科 電気電子工学専攻
   東京電機大学大学院  先端科学技術研究科 電気電子システム工学専攻
   職種   准教授
■ 著書・論文歴
1. 著書  化合物半導体の最新情報 大全集 (共著) 2007
2. 論文  Applying neural network to photosynthesis evaluation using plant bioelectricity (共著) 2017/03
3. 論文  Preparation and properties of GaN:Al layers grown by radio-frequency magnetron sputter epitaxy (共著) 2017/01
4. 論文  Structural properties of GaN layers grown on Al2O3 (0001) and GaN/Al2O3 template by reactive radio-frequency magnetron sputter epitaxy (共著) 2016/03
5. 論文  Highly c-axis oriented AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by
radio-frequency sputter epitaxy at 1080 °C (共著) 2012/04
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■ 学会発表
1. 2011/08/31 UHVスパッタエピタキシーによるAlN単結晶層の成長(II)(第72回応用物理学会学術講演会)
2. 2011/08/31 UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長(III)(第72回応用物理学会学術講演会)
3. 2011/08/31 UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長(II)(第72回応用物理学会学術講演会)
4. 2011/08/31 スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(III)(第72回応用物理学会学術講演会)
5. 2011/08/31 スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(IV)(第72回応用物理学会学術講演会)
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■ 講師・講演
1. 2013/09 スパッタ技術による高品質半導体薄膜の形成とその応用(東京電機大学東京千住キャンパス)
2. 2014/03 スパッタエピタキシー法によるGaN系及びZnO系半導体単結晶層の成長(東京都港区)