(最終更新日:2017-06-15 16:45:42)
  フジカワ サチエ   FUJIKAWA Sachie
  藤川 紗千恵
   所属   東京電機大学  工学部 電気電子工学科
   職種   助教(A)
■ 現在の専門分野
電子・電気材料工学, 電子デバイス・電子機器, 結晶工学 
■ 著書・論文歴
1. 論文  Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-baased high Electron Mobility Transistors (共著) 2017/03
2. 論文  Research and development of InP, GaN and InSb-based HEMTs and MMICs for terahertz-wave wireless communications (共著) 2016/10
3. 論文  Electron Transport Properties of InSb/GaInSb Composite Channel (共著) 2016/09
4. 論文  InSb-based HEMTwith Over 300 GHz-fT using Al0.25In0.75Sb/Al0.15In0.85Sb stepped buffer layer for strain reduction (共著) 2016/09
5. 論文  Poly-InSb nMOSFETs for monolithic 3DIC (共著) 2016/09
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■ 受賞学術賞
1. 2013/04 第三回先端フォトニクスシンポジウム 人気ポスター賞
2. 2012/11 CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域 第5回公開シンポジウム ポスター賞
3. 2012/01 平成23年度基礎科学・国際特別研究員研究成果発表会 ポスター賞
4. 2010/05 日本成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 研究奨励賞
5. 2001/03 大阪府知事賞
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■ 所属学会
1. 応用物理学会
2. 応用物理学会結晶工学分科会
■ 職歴
1. 2009/04~2012/03 理化学研究所 基礎科学特別研究員
2. 2012/04~2013/03 理化学研究所 特別研究員
3. 2013/04~2017/03 情報通信研究機構 協力研究員
4. 2013/04~2017/03 東京理科大学 基礎工学部電子応用工学科 助教
5. 2013/04~ 理化学研究所 客員研究員
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■ 学会発表
1. 2016/06/27 Comparative Study on Noise Characteristics of As and Sb-based HEMTs(The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016)
2. 2016/06/29 Growth of GaSb Dots Nucleation Layer and Thin-Film GaSb on Si(100) Substrate by Molecular Beam Epitaxy(The International Symposium on Compound Semiconductors(ISCS) 2016)
3. 2016/06/29 InSb-based HEMT with Over 300 GHz-fT using Evaporated SiOx Film(The International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) 2016)
4. 2016/07/09 Electron transport properties of novel InSb/GaInSb composite channel high electron mobility transistor structures(35rd Electronic Materials Symposium (EMS35))
5. 2016/07/09 InSb HEMT with over 300 GHz-fT using stepped buffer layer for strain reduction(35rd Electronic Materials Symposium (EMS35))
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■ 研究課題・受託研究・科研費
1. 2015/04~2018/03  Sb系希薄窒化物半導体の物性解明と高輝度遠赤外線発光素子の創製 基盤研究(C) 
2. 2015/10~2017/09  Sb系半導体材料を用いた中赤外発光デバイスの研究 その他の補助金・助成金 
3. 2015/10~2017/09  Sb系半導体材料を用いた中赤外線発光素子に関する研究 その他の補助金・助成金 
4. 2015/11~2017/11  Sb系希薄窒化物半導体を用いた遠赤外線LEDと光検出器の開発 その他の補助金・助成金 
5. 2016/04~2019/03  テラヘルツ領域極限性能トランジスタの開発 基盤研究(C) 
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■ 講師・講演
1. 2009/01 222-282nm AlGaN and InAlGaN based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN template
2. 2011/06 窒化物半導体を用いた深紫外LEDの開発(九州大)
3. 2013/05 Recent progress of AlGaN based deep-UV LEDs(Strasbourg, France)