言語種別 | 英語 |
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発行・発表の年月 | 2012/06 |
形態種別 | 学術研究論文 |
査読 | 査読あり |
標題 | Electronic level scheme in boron- and phosphorus-doped silicon nanowires |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | Nano Letters |
掲載区分 | 国外 |
巻・号・頁 | 12(6),3012-3017 |
著者・共著者 | K. Sato, A. Castaldini, N. Fukata and A. Cavallini |