| 発表年月日 | 2006/12 |
|---|---|
| 発表テーマ | レーザ光弾性法による電子デバイスの応力評価 |
| 会議名 | 日本材料学会 |
| 開催地名 | 東京都大田区産業プラザ |
| 会議区分 | 国内会議 |
| 講演区分 | 講師 |
| 招待講演フラグ | 招待講演 |
| 概要 | 電子デバイスの応力測定法として光弾性法に話題を絞り，回路形成済みシリコンウエハを電子デバイスの一例としてとりあげ，その応力評価法とその可能性について言及した．
また，研削時に導入されたストレス層をストレスリリーフ処理により除去した際の効果を，光弾性法で評価し，インライン評価の可能性に言及した． |