| 言語種別 | 英語 |
|---|---|
| 発行・発表の年月 | 2023/02 |
| 形態種別 | 国際会議論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | Introduction of deep level impurities, S, Se, and Zn, into Si wafers for high-temperature operation of a Si qubit |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics |
| 掲載区分 | 国外 |
| 出版社・発行元 | IOP Publishing |
| 巻・号・頁 | 62,SC1054-1-SC1054-5 |
| 総ページ数 | 5 |
| 著者・共著者 | Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota Iizuka, Shigenori Murakami, Koji Ishibashi, Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, and Keiji Ono |
| DOI | 10.35848/1347-4065/acae60 |