言語種別 | 英語 |
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発行・発表の年月 | 2016 |
形態種別 | 学術研究論文 |
査読 | 査読あり |
標題 | Characterization of Effective Mobility and Its Degradation Mechanism in MoS2 MOSFETs |
執筆形態 | 共著 |
掲載誌名 | IEEE Transactions on Nanotechnology |
掲載区分 | 国外 |
巻・号・頁 | 15(4),651-656 |
著者・共著者 | Takahiro Mori,Naruki Ninomiya,Toshitaka Kubo,Noriyuki Uchida,Eiichiro Watanabe,Daiju Tsuya,Satoshi Moriyama,Masatoshi Tanaka,Atsushi Ando |
DOI | 10.1109/TNANO.2016.2570280 |
Put Code(ORCID) | 33374171 |
PermalinkURL | http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000380026400011&KeyUID=WOS:000380026400011 |
researchmap用URL | http://orcid.org/0000-0001-6599-6433 |