| 言語種別 | 英語 |
|---|---|
| 発行・発表の年月 | 2018/11 |
| 形態種別 | 学術研究論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | High-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | APL Materials |
| 掲載区分 | 国外 |
| 巻・号・頁 | 6(11),111105 |
| 著者・共著者 | Yosuke Sasama,Katsuyoshi Komatsu,Satoshi Moriyama,Masataka Imura,Tokuyuki Teraji,Kenji Watanabe,Takashi Taniguchi,Takashi Uchihashi,Yamaguchi Takahide |
| 概要 | Selected as a Featured Article. |
| DOI | 10.1063/1.5055812 |