| 言語種別 | 英語 |
|---|---|
| 発行・発表の年月 | 2005/07 |
| 形態種別 | 学術研究論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | A Novel Process for Fabrication of Gated Silicon Field Emitter Array Taking Advantage of Ion Bombardment Retarded Etching |
| 執筆形態 | 共著 |
| 掲載誌名 | Japanese Journal of Applied Physics |
| 出版社・発行元 | The Japan Society of Applied Physics |
| 巻・号・頁 | 44(7A),5191-5192 |
| 著者・共著者 | Takashi Tanii, Satoru Fujita, Yoshiteru Numao, Iwao Matsuya, Mitsuaki Sakairi, Meishoku Masahara, and Iwao Ohdomari |
| DOI | 10.1143/JJAP.44.5191 |